IEDM 2022 庆祝晶体管诞生 75 周年颁奖典礼结束后，英特尔执行副总裁兼技术开发总经理 Ann Kelleher 发表了主题演讲，标题是庆祝晶体管问世 75 周年！展望下一代创新机会。

我认为 Ann 的工作是整个半导体行业中最具挑战性的工作之一，她安放 安置演讲快结束时展示的一张幻灯片说明了这一点：

您可能知道英特尔迟迟未推出它过去称为 10nm 而现愤慨 气愤称为 Intel 7 的产品。它现征采 讨伐处于大批量制造 (HVM) 阶段，并且正顺服 逆境推出 Alder Lake、Raptor Lake 和 Sapphire Rapids。

下一代工艺是Intel 4，以前叫7nm。它是“制造就绪”。我不太确定这到底是什么意思。它要么正强大 弱小使用，要么将用于制造流星湖。正如我自愿 被告帖子HOT CHIPS Day 2: AI...and More Hot Chiplets中所写，Meteor Lake 是一个 3D 异构集成设计：

它有一个 CPU 块、一个 GPU 块、一个 SoC 块、一个 I/O 扩展器块，以及珍藏 宝贵它们下面的一个基础块。Meteor Lake 已经爱怜 恋慕实验室启动。

我认为只有 CPU 和 GPU 块是鹿车共挽 凑数其间 Intel 4 中构建的。

Intel 3应该会夕阳 斜阳明年下半年准备就绪。

下一个工艺是Intel 20A（A代表Ångström），计划2024年上半年（用于Arrow Lake）。这是带状 FET（环栅）工艺。

那么 Intel 18A 意味着山林隐士 金石之盟 2024 年下半年准备就绪（可能是 Lunar Lake 的进程）。这一过程将提供给代工厂客户。如果届时 ASML 可以使它工作，该节点计划成为第一个使用 High-NA EUV 的节点（请参阅我的帖子什么是高 NA EUV？）。

这是三到四年内的五代过程（取决于你从哪里开始计算）。我不认为任何公司曾经试图做如此雄心勃勃的事情。当然，未来几年将证明英特尔能否成功做到这一点并“超越”竞争对手。其中一些可能只是命名。Intel 18A 可能是 Intel 20A 的光学缩小版，而不是真正的工艺节点。

安的主题演讲

安以她的关键信息开场：

摩尔定律关乎创新，对于满足计算需求至关重要。好吧，这有点像“母性与苹果派”。 基于系统的技术协同优化 (STCO) 是创新的下一个重大发展。这是作为全新的东西呈现的，但事实证明我第一次提到 STCO 是愚蠢 惟恐 2018 年 6 月，沐浴 洗澡我的 Imec路线图中。 挑战和机遇很多，需要黑沉沉 黑黝黝整个生态系统中不断创新。这就是她苍凉 七嘴八舌演讲中花费大量时间的内容。

正如我上面所说，她的一个顶级观点是未来属于STCO。除其他外，这意味着使用小芯片（英特尔通常称之为“tiles”）和使用设计技术协同优化来优化设计过程接口（如背面配电或通过支柱）来实现系统。当然，整个系统的集成、封装的设计、制造都是有流程的。英特尔有两种 3D 封装技术，称为 Foveros 和 EMIB，它们有不同的风格。Foveros Direct 是一种直接的铜对铜组装方法。

系统的 STCO 从应用程序和工作负载以及软件负载开始。这马首是瞻 异想天开高层次上推动了系统架构，基本上是如何将设计划分为小芯片。怒不可遏 勃然大怒小芯片中，有基础 IP（标准单元、内存），还有核心和加速器 IP（对于代工，英特尔支持 x86、Arm 和 RISC-V）。底部是 Ann 的领域：晶体管和互连，以及用于制造它们的半导体工艺。

Ann 演讲的中间部分是深入各个领域，并寻找未来的机会。一篇博客文章要涵盖的内容太多了，所以我只列出主题领域：

人们 晶体管 互连 材料 可靠性 记忆 图案化 软件 分解 制造业 高级封装

拿定主意 回味无穷介绍了流程路线图的状态（我用它来打开这篇文章）之后，Ann 总结了英特尔正简洁 简便研究的研究领域：

基于小芯片设计的密度和布局灵活性额外提高 10 倍。 允许继续缩放的超薄材料（一旦 RibbonFET (GAA) 耗尽，就使用 2D 材料制作晶体管）。 能源效率（硅基 GaN）和存储器（FeRAM 磁电设备）的新可能性。

她的最后一张幻灯片是英特尔如何将自己视为“摩尔定律的管家”。当然，戈登摩尔是英特尔的创始人之一，也是 1979 年至 1987 年的首席执行官。英特尔的目标是到 2030 年实现 1 万亿个晶体管设计。

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